aspect ratio; coupled device-circuit simulation; delay time; multifin FinFET; random-dopant-position-induced fluctuation; static noise margin;
机译:16-NM多栅极和多鳍MOSFET器件和SRAM电路
机译:使用InGaAs-n / Ge-p超薄体MOSFET评估单片3-D逻辑电路和6T SRAM
机译:使用双栅极MOSFET器件的新型SRAM电路
机译:16-NM Comperion和Multifin MOSFET设备和SRAM电路
机译:纳米级MOSFET,碳纳米管器件和集成电路的热和性能建模。
机译:以纳米MOSFET为基准的碳纳米管场效应晶体管的器件和电路级性能
机译:具有纳米级双门SOI MOSFET的6-T SRAM单元设计:源/排水工程和电路拓扑的影响
机译:用于节能数字集成电路的mOsFET替换器件