机译:通过铝注入和脉冲准分子激光退火对p型硅(100)上的硅化物进行肖特基势垒高度调整
机译:使用原子层沉积氧化铝降低介电偶极子的肖特基势垒高度,以降低接触电阻
机译:使用新型介电偶极肖特基势垒高度调制方法降低FinFET源极/漏极的接触电阻
机译:铝隔离和脉冲激光退火的肖特基势垒高度调制:降低接触电阻的途径
机译:介电偶极子减轻了肖特基势垒高度调整,从而降低了接触电阻。
机译:硼铝双重注入与微波退火相结合对NiSi / Si接触处肖特基势垒高度的调节
机译:脉冲激光沉积生长杂交β-GA2O3薄膜Cu Schottky触点的平均值和均相阻挡高度