EUVL; immersion lithography; shadowing; flare;
机译:ArF水浸式光刻技术的后续产品:EUV光刻技术,多电子束无掩模光刻技术还是纳米压印技术?
机译:双图案光刻:低k 1 ArF和EUV之间的桥梁
机译:面向32 nm节点ArF浸没光刻的双图案化材料和工艺的开发
机译:ARF浸没与EUV光刻之间DRAM细胞图案化的比较研究
机译:研究p53-mdm2-ARF信号回路:p53抑癌蛋白抑制ARF,ARF的癌基因激活以及活细胞中p53活性的检测
机译:超越EUV光刻技术:有效光刻胶性能的比较研究
机译:用于双图案化朝向32nm节点ARF浸入光刻的材料和工艺的开发
机译:光化掩模成像:sHaRp EUV显微镜的最新结果和未来方向。会议:极紫外(EUV)光刻V,加利福尼亚州圣何塞,2014年2月23日;相关信息:期刊出版日期:2014年4月17日。