specific contact resistance; ion implantation; GaN; I-V characteristics; transmission line method (TLM);
机译:n-GaN和p-GaN均处于欧姆接触状态的石墨烯
机译:n-GaN和p-GaN均处于欧姆接触状态的石墨烯
机译:通过与p-GaN形成出色的欧姆接触来增强n-ZnO / p-GaN异质结发光二极管的性能
机译:通过离子植入的Si形成为P-GaN的N-GaN的欧姆接触
机译:镍/金和钯/金欧姆接触与清洁的p型氮化镓(0001)表面之间形成的界面的电,化学和结构表征。
机译:在p-GaN上两步沉积Al掺杂的ZnO以形成欧姆接触
机译:X射线光电发射测定金属触点对n-GaN和p-GaN的肖特基势垒高度
机译:通过控制mg的活化,形成与mOCVD生长的p-GaN的欧姆接触