optical proximity correction (OPC); resolution enhancement technique (RET); pellicle;
机译:适用于14纳米及以上节点的光学邻近校正模型中的精确掩模模型实现
机译:在45nm逻辑门掩模上基于模型的掩模验证
机译:Marangoni干燥机集成的高性能清洁剂,适用于45nm技术节点及以后的Cu /低kPost带材清洁
机译:在45nm技术节点上考虑Mask Pellicle效应以获得更准确的OPC模型
机译:EUV掩模技术的主要挑战:光化掩模检测和掩模3D效果。
机译:人和牛牙上形成的牙釉质防护膜的蛋白质组学分析:使用Bauru原位防护膜模型(BISPM)的研究
机译:45nm节点之外的技术建模和表征
机译:具有mask-Lite(商标)的智能45nm铸造CmOs降低了掩模成本。