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OPC(Optical Proximity Correction) method using multi-OPC model, and methods for manufacturing mask using the OPC method

机译:OPC(光学接近校正)方法使用多功能型模型,以及使用OPC方法制造掩码的方法

摘要

The technical idea of the present invention provides an OPC method using a multi-OPC model that can reduce the runtime of the entire OPC method by minimizing the repetition of simulation of a complex OPC model, and a mask manufacturing method using the OPC method. . The OPC method using the multi-OPC model includes performing an initial simulation using each of the first OPC model and the second OPC model for a target pattern; Calculating EPE_diff, which is a difference between a first EPE (Edge Placement Error) based on the first OPC model and a second EPE based on the second OPC model; Generating a re-target pattern using the EPE_diff; Performing a first simulation on the re-target pattern using a first OPC model; And performing a second simulation using a second OPC model based on the target pattern; wherein the first OPC model has an error tendency of the second OPC model and the number of kernel functions It is a model with minimized and computational area.
机译:本发明的技术概念提供了一种使用多OPC模型的OPC方法,可以通过最小化复杂OPC模型的模拟的重复来减少整个OPC方法的运行时间,以及使用OPC方法的掩模制造方法。 。使用多OPC模型的OPC方法包括使用第一OPC模型和用于目标图案的第二OPC模型的每个执行初始仿真;计算EPE_DIFF,这是基于第一OPC模型的第一EPE(边缘放置误差)与基于第二OPC模型的第二EPE之间的差异;使用EPE_DIFF生成重新定位模式;使用第一OPC模型对重新定位模式执行第一模拟;并使用基于目标图案的第二OPC模型执行第二模拟;其中,第一OPC模型具有第二OPC模型的错误趋势,并且内核功能的数量是具有最小化和计算区域的模型。

著录项

  • 公开/公告号KR20210046459A

    专利类型

  • 公开/公告日2021-04-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 삼성전자주식회사;

    申请/专利号KR1020190130182

  • 发明设计人 강필수;

    申请日2019-10-18

  • 分类号G03F1/36;G03F7/20;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-24 18:28:52

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