22 nm technology; RET; DFM; SRAM; corner rounding;
机译:用于平面晶体管器件的22 nm节点技术有源层构图
机译:用于平面晶体管器件的22 nm节点技术有源层构图
机译:W与Co-Al作为栅极填充金属,用于(子)22 nm技术节点的大规模替代高k /金属栅极器件
机译:22 NRN技术节点有源层图案化平面晶体管器件
机译:纳米器件的器件建模和电路性能评估:超过45 nm节点的硅技术和碳纳米管场效应晶体管。
机译:Alpha粒子对3nm技术节点处的多纳米片隧穿场效应晶体管的影响
机译:用于20/14纳米技术节点的硅通孔和有源器件之间的噪声耦合