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Laura Peters;
Editor-in-Chief Semiconductor International;
机译:在22nm技术节点用MMOS批量模型中递减各种优化技术对强反转和亚阈值区域的影响
机译:PVT变化下的FinFET电路模块的延迟/功率建模和优化:观察22nm和14nm技术节点之间的趋势
机译:在22nm技术节点超出22nm技术节点超出CMOSFET的III-V通道中的应变增加
机译:22nm过程节点中不同SRAM变化的调查
机译:用于22nm体PMOS晶体管的HK和MG集成了源极和漏极中的高应变SiGe
机译:用于22nm技术节点的n掺杂和p掺杂双栅极MOSFET的全频带和原子模拟
机译:短期能源展望补充:2014年墨西哥湾飓风相关生产中断的展望。
机译:22NM FDSOI器件的C EFF Sub>结形成减少
机译:22nm FDSOI器件的C eff Sub>结减少
机译:SIT浇口流程中15nm / 22nm多种细晶粒的弱势浇口长度的CAD流程
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