机译:用于纳米CMOSFET技术的NMOS掺杂沟道防止栅极工程
机译:用于65 nm节点CMOSFET的Ni硅化多晶硅/多晶硅层栅极技术
机译:在22nm技术节点用MMOS批量模型中递减各种优化技术对强反转和亚阈值区域的影响
机译:在22nm技术节点超出22nm技术节点超出CMOSFET的III-V通道中的应变增加
机译:22nm过程节点中不同SRAM变化的调查
机译:快速III-V异质外延的电子沟道对比成像表征
机译:评估45,32和22nm工艺节点Lp N-mOsFET的固有参数波动