机译:低压反转应力下p型金属氧化物半导体场效应晶体管中超薄SiON栅极电介质的V_(ox)/ E_(ox)驱动击穿
机译:高场应力超薄栅极氧化物的击穿和抗击穿事件
机译:高A /金属栅叠层p型金属氧化物硅硅场效应晶体管的阴极电子注入击穿模型和时变介电击穿寿命预测
机译:高场应力下栅极氧化物中的介电击穿
机译:具有通过RPECVD制备的堆叠氧化物/氮化物和氮氧化物栅极电介质的CMOS器件的故障和可靠性。
机译:质子辐照对常断型AlGaN / GaN栅嵌入式金属-绝缘体-半导体异质结构场效应晶体管随时间变化的介电击穿特性的影响
机译:在直流和交流应力下具有HfSiON栅极电介质的n-MOSFET中随时间变化的介电击穿(TDDB)分布
机译:区域熔化 - 重结晶硅 - 绝缘体薄膜上产生的缺陷相关介电击穿,变化陷阱和界面态氧化物生成