首页> 外文会议>Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International >The impact of partially scaled metal barrier shunting on failure criteria for copper electromigration resistance increase in 65nm technology
【24h】

The impact of partially scaled metal barrier shunting on failure criteria for copper electromigration resistance increase in 65nm technology

机译:在65nm技术中部分缩放金属势垒分流对铜电迁移电阻增加的破坏准则的影响

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