dielectric materials; plasma CVD; plasma density; plasma materials processing; semiconductor device manufacture; HDP CVD technique; chemical vapor deposition; high-density plasma; intermetal dielectric deposition; phosphorus silicate glass; plasma-induced damage; p;
机译:减少层间介电层(ILD)工艺中HDP-CVD氧化物沉积过程中等离子体引起的损伤
机译:在深亚微米高密度等离子氟化石英玻璃金属间电介质应用中优化后N-2处理和不掺杂硅玻璃盖以改善金属扭曲分层
机译:通过HMDS等离子体处理,原位修复等离子体诱导的损伤和帽电介质屏障常电恒材料
机译:在高密度等离子体中的内部介电沉积过程中降低等离子体诱导的损伤
机译:金属间电介质沉积和互连金属沉积过程的形貌模拟。
机译:非热介电屏障放电等离子体诱导的灭活涉及大肠杆菌中的氧化性DNA损伤和膜脂质过氧化。
机译:通过HMDS等离子体处理原位修复等离子体诱导的损伤和帽电介质屏障
机译:GaN的高密度等离子体诱导蚀刻损伤