titanium compounds; hafnium compounds; MOSFET; semiconductor device measurement; electron traps; NBTI degradation recovery; threshold voltage instability temperature dependence; charge trapping; dielectric electron trapping; electron de-trapping; PMOS transistors; transconductance swing; subthreshold swing; activation energy; negative bias stress; temperature stress; threshold voltage shift; 0.042 eV; HfSiON-TiN;
机译:沟道热载流子应力后Hf组成对原子层沉积HfSiON门控金属氧化物半导体场效应晶体管的影响
机译:Gd覆盖层对带有TaC栅电极和HfSiON栅介质的金属氧化物半导体场效应晶体管的电特性的影响
机译:TiN / HfSiON栅叠层在高温退火中对栅第一金属氧化物半导体场效应晶体管的界面反应
机译:HFSION /金属栅极晶体管中NBTI劣化的恢复
机译:VLSI电路中的片上NBTI和栅极氧化物降解感应以及动态管理。
机译:顶部栅极石墨烯场效应晶体管中金属石墨烯触点的栅极控制肖特基势垒降低的物理模型
机译:ZrO2门控n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管中沟道迁移率的温度依赖性降解机理