MOSFET; fluorine; doping profiles; scanning tunnelling microscopy; fluorine implantation; P-MOSFET extension region; F-tub region; drive current; scanning tunneling microscopy; STM; 2D carrier profiling; overlap length reduction; steep lateral abruptness;
机译:带有氟注入的p-MOSFET的改进的电特性和可靠性
机译:热预算低和高的硅微带探测器中BF〜(2+)和B〜+注入形成的p〜+ –n结的比较:氟对电特性的影响
机译:扩展植入物能量纯度和角度对65 nm器件技术的电学特性的影响
机译:延长区域氟植入对电气性能的影响
机译:分析电气架构,社会经济因素和地区对住宅组合太阳能和电池实施要求的影响
机译:fT高于460-GHz的50nm以下50nm nMOSFET的小信号性能和建模
机译:优化单个光晕p-MOSFET注入参数以提高模拟性能和可靠性