机译:氩气压力高达1.2 Gpa退火对氢等离子体刻蚀和氢注入单晶硅的影响
机译:大气压下用于硅氢化的氩氢射频感应热等离子体炬的光谱诊断
机译:通过等离子体氢化和退火在离子注入硅中的掩埋缺陷层处吸氢
机译:在氩气 - 等离子体蚀刻和氢气注入的单晶硅中产生高达1.2GPa的氩气压的影响
机译:表征氢蚀刻和/或清洁的氢-6-碳化硅(0001)表面上氮化铝和氮化镓薄膜的生长。
机译:PECVD对低温生长的掺硼氢化晶体硅的退火
机译:si +注入然后等离子体氢化和H +注入晶体硅中结构缺陷形成的对比分析