resist trim process; microloading; OPC; CD control; lithography window;
机译:a-Si:H抵抗真空光刻工艺对HgCdTe的影响
机译:使用SF_6 / O_2等离子清洁技术减少蚀刻缺陷并优化光刻胶掩膜栅多晶硅蚀刻工艺中的蚀刻配方
机译:全芯片计算光刻中的两层临界尺寸和覆盖工艺窗口特性以及改进
机译:提高EUV光刻工艺中抗蚀剂涂层和显影工艺中CD的稳定性和缺陷性
机译:精密轨到轨输入输出运算放大器,在标准CMOS工艺中使用可激光调整的多晶硅电阻器。
机译:负电阻双光子光刻技术的使用和加工以实现圆柱磁性纳米线
机译:使用实验设计调查聚氯乙烯窗型材挤出中的加工条件和K值效应
机译:抗蚀技术与加工XII的进展。亚0.25微米光刻的193纳米硅烷化工艺的优化