MOSFET; current fluctuations; fluctuations; doping profiles; semiconductor device models; semiconductor process modelling; Monte Carlo methods; molecular dynamics method; sensitivity analysis; sub-100nm CMOS; dopant fluctuation induced device charact;
机译:纳米CMOS和SOI器件中的工艺变化和随机掺杂引起的阈值电压波动
机译:纳米平面Mosfet和Bulk Finfet器件中的过程变异和随机掺杂引起的阈值电压波动
机译:抑制16 NM金属氧化物-半金属半导体场效应晶体管器件中随机掺杂引起的特征波动的双门方法的新结构
机译:采用原子3D处理/设备模拟器对亚100nmCMOS的现实掺杂体波动诱导装置特性变化的研究
机译:现实的纳米级设备的电子特性的预测性原子模拟:一种多尺度建模方法。
机译:随机离散掺杂剂引起的具有固定顶鳍宽度的16nm栅极梯形体FinFET器件的电特性波动
机译:大型原子电路装置耦合模拟纳米CMOS数字电路中离散掺杂的特性波动的耦合模拟