机译:基于90nm SOI CMOS工艺的H-Gate超薄栅极氧化物部分耗尽的SOI pMOS和nMOS器件中浮体电位的比较
机译:低于1/4 / splμm/ m的双栅极CMOS技术,使用用于nMOS和pMOS栅极的原位掺杂多晶硅
机译:具有多晶硅栅电极的双高/ spl kappa /栅极电介质:nMOS上的HfSiON和pMOS上的Al / sub 2 / O / sub 3 /覆盖层
机译:Ru-Ta合金作为NMOS和PMOS硅器件栅电极的性能
机译:具有高K电介质和金属栅电极的按比例缩放的NMOS器件的闪烁噪声
机译:用于高功率储能器件的硅氧化碳化硅电极
机译:掺杂方法对亚微米CMOS器件中多晶硅栅电极电性能和微观形貌的影响