基于硅/碳材料的PMOS与NMOS晶体管的性能提升

摘要

一种硅/锗材料和硅/碳材料可以根据适当的制造制度提供在不同导电类型(150P、150N)的晶体管，而不会不当地增加整体的工艺复杂度。再者，在形成相应的应变半导体合金(153)之前可以透过空腔(103P、103N)的暴露表面区域提供适当的植入物种，由此额外地提供增强的整体晶体管性能。在其他的实施例中，硅/碳材料可以形成在P沟道晶体管(150P)和N沟道晶体管(150N)中，同时在P沟道晶体管中，可以通过应力记忆技术而过度补偿相应的拉伸应变成分。于是，碳物种的有利的效果，例如增强P沟道晶体管的整体掺杂剂分布，可以结合有效的应变成分，同时可以达成提升的整体工艺一致性。