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Measuring the effects of sub 0.1 mu m filtration of 248nm photoresist performance

机译:测量248nm光刻胶性能在0.1微米以下过滤的效果

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摘要

Photolithography is a key technology driver enabling next generation processes. As line widths decrease to 0.18 mu m and bleow, the critical size of particulate contamination decreases proprortionately. The implementation of filtration below 0.1 mu m within existing dispense systems raises concern as the removal rating of the filter approaches the size of large molecular weight components of the photoresist.
机译:光刻是实现下一代工艺的关键技术驱动力。当线宽减小到0.18微米并吹灰时,颗粒污染物的临界尺寸会适当减小。由于过滤器的去除率接近光致抗蚀剂的大分子量组分的尺寸,因此在现有的分配系统中实施低于0.1μm的过滤引起了关注。

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