机译:高性能0.35- / spl mu / m 3.3-V BiCMOS技术,针对0.6- / spl mu / m 3.3-V BiCMOS技术的产品移植进行了优化
机译:适用于0.15- / spl mu / m CMOS器件的新的钴硅化物技术
机译:采用0.35 / spl mu / m CMOS工艺制造的5 Gbit / s 2:1多路复用器和采用0.5 / spl mu / m CMOS工艺制造的3 Gbit / s 1:2解复用器
机译:0.15 / SPL MU / M CMOS铸造技术,具有0.1 / SPL MU / M器件,用于高性能应用
机译:动态范围极限条件下的惯性传感器设计:集成式CMOS-MEMS高g和mu g加速度计。
机译:CMOS器件在传染病诊断和控制的应用
机译:采用0.18- / spl mu / m CMOS的5.2-GHz RF功率采集器,用于植入式眼压监测
机译:63-meV,1-mrad(si)质子辐照后0.35-(μm)sOI CmOs器件和微功率前置放大器的噪声性能