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Conference on advances in resist technology and processing
Conference on advances in resist technology and processing
召开年:
2000
召开地:
Santa Clara, CA(US)
出版时间:
-
会议文集:
-
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1.
Patterning of hyperbranched resist materials by E-beam
机译:
电子束对超支化抗蚀剂材料进行图案化
作者:
Alexander R.Trimble
;
David C.Tully
;
Jean M.J.Frechet
;
David R.Medeiros
;
Marie angelopoulos
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
2000年
关键词:
hyperbranched polymer;
photoresist;
electron-beam;
chemical amplification;
2.
Dendrimer-based chemically amplified resits for sub-100 nm lithography
机译:
基于树枝状聚合物的化学放大残留物,用于低于100 nm的光刻
作者:
David C.Tully
;
Alexander
;
R.Trimble
;
Jean M.J.Frechet
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
2000年
关键词:
Dendrimer;
chemically amplified resist;
e-beam lithography;
3.
Prgress toward developing high performance 193nm single layer positive resist based on functionalized poly(norbornenes)
机译:
迈向基于功能化聚降冰片烯的高性能193nm单层正性抗蚀剂的开发
作者:
P.Rao Varanasi
;
G.Jorhamo
;
M.C.Lawson
;
R.Chen
;
W.R.Brunsvold
;
T.Hughes
;
R.Keller
;
M.Khojasteh
;
W.Li
;
R.D.Allen
;
H.Ito
;
J.Opitz
;
H.Truong
;
T.Wallow
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
2000年
4.
Semi-empirical calculations for the optimization of microlithographic materials and processes
机译:
用于微光刻材料和工艺优化的半经验计算
作者:
Dan V.Nicolau
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
2000年
关键词:
computational chemistry;
Image Reversal;
lithographic modeling;
5.
SiON as a panacea for KrF photolithography? study on prcess optimization, substrate dependency and dealy time stability on silcion nitride and BPTEOS film
机译:
SiON是KrF光刻的灵丹妙药吗?氮化硅和BPTEOS膜的工艺优化,基材依赖性和脱膜时间稳定性的研究
作者:
Jun-Sng Chun
;
Shekhar Bakshi
;
Stan Barnett
;
James Shih
;
Sk Lee
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
2000年
关键词:
SIlicon Nitride;
silicon oxynitride;
DUV;
CD uniformity;
ESCAP;
Substrate dependency;
ARC;
6.
Temperature dependence of acid molecular diffusion in resist polymer films simulated by molecular dynamics
机译:
分子动力学模拟的抗蚀剂聚合物膜中酸分子扩散的温度依赖性
作者:
Minoru Toriumi
;
Ichiro Okabe
;
Takeshi Ohfuji
;
Masayuki Endo
;
Hiroaki Morimoto
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
2000年
关键词:
molecular diffusion;
molecular simulation;
poly(methacrylate);
activation energy;
free volume;
7.
Amine control for DUV lithography: identifying hidden sources
机译:
DUV光刻的胺控制:识别隐藏源
作者:
Oleg P.Kishkovich
;
Carl E.Larson
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
2000年
关键词:
DUV photoresist;
environmental stability;
airborne molecular contamination, contamination control;
real-time monitors;
ammonia;
a,mines;
molecular base;
latex gloves;
sealants;
adhesives;
8.
Contact hole size reducing methods by using water-soluble organic over-coating material (WASOOM) as a barrier layer toward 0.15um contact hle; resist flow technique I
机译:
通过使用水溶性有机外涂层材料(WASOOM)作为朝向0.15um接触孔的阻挡层来减小接触孔尺寸的方法;抗流技术I
作者:
Jun-Sung Chun
;
Shekhar Bakshi
;
Stan Barnett
;
James SHih
;
Sk Lee
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
2000年
关键词:
Resist flow;
WASOOM;
water soluble;
0.15um contact hole;
half tone mask;
SOG;
9.
Molecular design and synthesis of the functional photo-thermo-polymers from hydroxyl benzoic acids
机译:
由羟基苯甲酸合成功能性光热聚合物的分子设计与合成
作者:
Xiao Tong
;
Jiangnan Gu
;
Liyunan Wang
;
Yingquan Zou
;
Shangxian Yu
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
2000年
关键词:
Hydroxyl benzoic acids;
Quantum calculation;
Chemical shift;
Polymer with carboxyl groups;
Thermal imaging;
10.
The 193-nm photoresist development at union chem.labl. ITRI
机译:
Union chem.labl的193 nm光刻胶开发。工研院
作者:
Mao-Ching Fang
;
Jui-Fa Chang
;
Ming-Chai Tai
;
Tzu-Yu Lin
;
Ting-Chung Liu
;
Chien-Hung Liu
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
2000年
关键词:
post exposure dealy;
airborne contamination;
reaction ion etching;
alternating phase shift mask;
etching rate selectivity;
11.
An epoxidised novolac resist (EPR) for high resolution negative and positive tone electron beam lithography
机译:
用于高分辨率正负电子束光刻的环氧酚醛清漆抗蚀剂(EPR)
作者:
Evangelia Tegou
;
Evangelos
;
GSogolides
;
Panagiotis Argitis
;
Ioannis Raptis
;
George P.Patsis
;
Nikolaos Glezos
;
Zoilo C.H.Tan
;
Kim Lee
;
Phuon Le
;
Yautzong Hsu
;
Michael Hatzakis
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
2000年
关键词:
epoxy resist;
silylation;
dry development;
electron-beam lithography;
12.
Design and lithographic performances of 193-specific photoacid generators
机译:
193种特定的光致产酸剂的设计和光刻性能
作者:
Hiroyuki Ishii
;
Shinji Usui
;
katsuji Douki
;
Toru Kajita
;
Hitoshi Cawanya
;
Tsutomu SHimokawa
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
2000年
关键词:
photoacid generator;
transparency;
molecular orbital calculation;
and ZINDO;
13.
Dual damascene photo process using negative tone resist
机译:
使用负性抗蚀剂的双重镶嵌光工艺
作者:
Xuelong SHi
;
Allen Fung
;
Stephen Hus
;
Zongyu Li
;
Tim Nguyen
;
Robert Socha
;
Will Conlyey
;
Micrea Dusa
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
2000年
关键词:
copper;
low K dielectric;
dual damascene;
negative tone resist;
14.
High-performance 193-nm positive resist using alternating polymer system of functionalized cyclic olefins/maleic anhydride
机译:
使用功能化环烯烃/马来酸酐的交替聚合物体系的高性能193 nm正性抗蚀剂
作者:
Katsuji Douki
;
Toru Kajita
;
Tsuomu Shimokawa
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
2000年
关键词:
193-nm single layer photoresist;
tetracyclododecene;
alternating polymer;
hydrophilicity;
etch resistance;
15.
High-performance EB chemically amplified resist using alicyclic protective groups
机译:
使用脂环族保护基的高性能EB化学放大抗蚀剂
作者:
Jun-ichi Kon
;
Kiji Nozaki
;
Takahisa Namiki
;
Ei Yano
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
2000年
关键词:
resit;
electron beam;
alicyclic group;
dry etching durability;
16.
Materials deisgn and lithographic performance of maleic anhydride/cycloolefin copolymer for ArF resist
机译:
ArF抗蚀剂用马来酸酐/环烯烃共聚物的材料设计和光刻性能
作者:
Joo-Hyeon Park
;
Jae-Young Kim
;
Dong-Chul Seo
;
Sun-Yi Park
;
Hosull Lee
;
Seong-Ju Kim
;
Jae-Chang Jung
;
Ki-Ho Baik
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
2000年
关键词:
193 nm photoresist;
maleic anhydride;
cycloolefin;
dry-etch resistance;
photoacid generator;
additives;
17.
Measuring the effects of sub 0.1 mu m filtration of 248nm photoresist performance
机译:
测量248nm光刻胶性能在0.1微米以下过滤的效果
作者:
Barry Botlinsky
;
James Beach
;
Michael Mesawich
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
2000年
关键词:
Photoolithography;
DUV;
filter;
photoresist;
dispense pumpt;
photospeed;
process window;
thermal stability;
18.
Mechanical property of organic rsists for ArF lithography
机译:
用于ArF光刻的有机墨粉的机械性能
作者:
Taku Morisawa
;
Toshihiko Tanaka
;
Tsuneo Terasawa
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
2000年
关键词:
ArF resists;
stress;
strength;
peering;
cracking;
19.
Novel polymers for 193 nm single layer resist based on cycloolefin polymers
机译:
基于环烯烃聚合物的用于193 nm单层抗蚀剂的新型聚合物
作者:
Hyun-Woo Kim
;
SI-Hyeung Lee
;
Ki-Young Kwon
;
Dong-won Jung
;
Sook Lee
;
Kwang-SUb Yoon
;
Sang-Jun Choi
;
Sang-Gyun Woo
;
Joo-Tae Moon
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
2000年
关键词:
Photoresist;
cmeically amplified resist;
ArF lithography;
cycloolefin polymer;
20.
Soft bak effect in 193 nm chemically amplified resist
机译:
193 nm化学放大抗蚀剂中的软性bak效应
作者:
Moon-Gyu Sung
;
Young-Mi Lee
;
Eun-Mi Lee
;
Young-Soo Sohn
;
Ilsin An
;
Hye-Keun Oh
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
2000年
关键词:
Lighography Simulation;
193nm;
CAR;
Soft Bake;
Optical Constant;
21.
The manipulation of chemically amplified resist dissolution rate behavior for improved performance
机译:
化学放大的抗蚀剂溶解速率行为的操纵,以提高性能
作者:
M.Toukhy
;
K.Schlicht
;
B.Maxwell
;
S.Chanthalyma
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
2000年
22.
Certified photometric standard for quality control and validation in UV/VIS analysis of ithographic resit materials and processes
机译:
经认证的光度标准,用于光刻胶材料和工艺的UV / VIS分析中的质量控制和验证
作者:
Aron L.Shultz
;
Kathy McLain
;
Jerry D.Messman
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
2000年
关键词:
UV/VIS absorption spectrophotometry;
photometric standard, certified reference material;
validation;
23.
Chemically amplified resists based on the norbornene polymer with 2-trimethylsilyl-2-propyl ester protecting group
机译:
基于带有2-三甲基甲硅烷基-2-丙基酯保护基的降冰片烯聚合物的化学放大抗蚀剂
作者:
Jin-Beak Kim
;
Jae-Jun Lee
;
Jae-Sung Kang
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
2000年
关键词:
Dually developable photoresist;
chemical amplified resist;
norbornene;
ArF lithography;
24.
Effect of surfactant-added develop on development of chemically amplified photoresist
机译:
添加表面活性剂对化学放大光致抗蚀剂显影的影响
作者:
Satoshi Kawada
;
Yukio Tamai
;
Shunkichi Omae
;
Tadahiro Ohmi
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
2000年
关键词:
Surfactant;
Developer;
Chemically amplified photoresist;
Wettability;
25.
Improved patterning quality of SU-8 microstructures by optimizing the exposure parameters
机译:
通过优化曝光参数提高SU-8微结构的图案化质量
作者:
Zhong-geng Ling
;
Kun Lian
;
Linke Jian
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
2000年
关键词:
Resist processing;
processing optimization;
UV lithography;
SU-8;
absorption coefficient;
dose;
26.
Improvement of resist profile roughness in bi-alyer resist process
机译:
改善双合金抗蚀剂工艺中的抗蚀剂轮廓粗糙度
作者:
Chang-Yong Jeong
;
Sang-wook Ryu
;
Ki-Yeop Park
;
won Gyu Lee
;
Seung-woog Lee
;
Dai-Hoon Lee
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
2000年
关键词:
Bi-layer resist process;
silicon-containing top resist;
sidewall roughness;
curing;
27.
Lithographic performance of advanced, thin resists
机译:
先进的薄抗蚀剂的光刻性能
作者:
Mike Williamson
;
Dr.Andy Neureuther
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
2000年
28.
Advanced microlithography process with chemical shrink technology
机译:
采用化学收缩技术的先进微光刻工艺
作者:
Takashi Kanda
;
Hatsuyuki Tanaka
;
Yoshiaki Kinoshita
;
Natsuo Watase
;
Ron Eakin
;
Takeo Ishibasih
;
Toshiyuki Toshiyuki Toyoshina
;
Naoki.Yasuda
;
Mikihiro Tanaka
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
2000年
关键词:
RELACS~(TM);
Shrink Technology;
Chemically Amplified Resist;
Photoacid Generator;
29.
ON the differences between wafer and bake plate temperature uniformity in proximity bake: a theoretical and experimental study
机译:
邻近烘烤中晶片和烘烤板温度均匀性的差异:理论和实验研究
作者:
Natarajan Ramanan
;
Austin Kozman
;
James B.Sims
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
2000年
关键词:
Bake plate modeling;
proximity bake;
bake uniformity;
heat transfer;
computational fluid dynamics;
CFD;
30.
Optimization of bottom antireflective coating materials for dual damascene process
机译:
双镶嵌工艺的底部抗反射涂料的优化
作者:
Shuji Ding
;
Wehbing Kang
;
hatsuyki Tanaka
;
SUnit Dixit
;
Ron Eakin
;
Jianhui Han
;
Eleazer Gonzalez
;
Ying Liu
;
Dinesh N.Khanna
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
2000年
关键词:
B.A.R.C.;
bottom antireflective coating;
contact hole;
dual damascene;
DUV;
dye;
i-line;
lithography;
photoresist;
planarization;
via fill;
31.
Optimizing of thin film interference effects in KrF lithography for 0.15 mu m design rules
机译:
针对0.15微米的设计规则优化KrF光刻中的薄膜干涉效应
作者:
Seung-Chul Oh
;
Young-Cehol Kim
;
Sang-Hoon Nah
;
Hoon Huh
;
Sang-Bum Han
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
2000年
关键词:
0.15 mu m lithography;
RET techniques;
thin film interference;
CD control;
32.
Progress in qualifying and quantifying the airborne base sensitivity of modern chemically amplified DUV photoresists
机译:
鉴定和量化现代化学放大DUV光刻胶的气载碱敏感性的进展
作者:
D.A.Kinkead
;
M.Erchen
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
2000年
关键词:
T-topping;
amines;
photoresist contamination;
chemically amplified photoresist delay stability;
CD control;
33.
Surface composition of a norbornene/maleic anhydride based 193 nm photoresist for different photoacid generators as determined by x-ray photoelectron spectroscopy
机译:
X射线光电子能谱法测定的用于不同光酸产生剂的降冰片烯/马来酸酐基193 nm光致抗蚀剂的表面组成
作者:
H.W.Krautter
;
F.M.Houlihan
;
R.S.Hutton
;
I.I.Rushkin
;
R.L.Opila
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
2000年
关键词:
Photoacid generators;
x-ray photoelectron spectroscopy;
surface segregation;
diffusion;
volatilization;
fluorine;
34.
Temperature rising effect of 193nm chemically amplified resist during post exposure bake
机译:
曝光后烘烤过程中193nm化学放大抗蚀剂的升温效果
作者:
Young-Mi Lee
;
Moon-Gyu Sung
;
Eun-Mi Lee
;
Young-Soo Sohn
;
Heung-Jin Bak
;
Hye-Keun Oh
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
2000年
关键词:
Lithography;
Simulation;
PEB;
CAR;
193nm;
35.
Film characterization and evaluation of process performance for the modified electron beam resist
机译:
改性电子束抗蚀剂的薄膜表征和工艺性能评估
作者:
Fu-Hsiang Ko
;
Jhy-Hua Ting
;
Cheng-Tung Chou
;
Li-Tung Hsiao
;
Tiao-Yuan Huang
;
Bau-Tong Dai
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
2000年
关键词:
resist modification;
resist characterization;
thermal analysis;
resist stripping performance;
36.
A 193 nm positive tone bilayer resist based on norbornene-maleic anhydride copolymers
机译:
基于降冰片烯-马来酸酐共聚物的193 nm正性双层抗蚀剂
作者:
Ratnam Sooriyakumaran
;
Debra Fenzel-Alexander
;
Phillip J.Brock
;
Carl E.Larson
;
Richard A.DiPietro
;
Gregory M.Walleraff
;
Donald C.Hofer
;
Dan J.Dawson
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
2000年
关键词:
Bilayer resist;
193nm lithography;
silicon;
norbornene;
maleic anhydride;
alternating copolymers;
37.
Advanced materials for 193-nm resists
机译:
193 nm抗蚀剂的先进材料
作者:
Tohru Ushirogouchi
;
Kiji Asakawa
;
Naomi SHida
;
TSakeshi Okino Satoshi Saito
;
Yoshinori Funcaki
;
Akira Takaragi
;
Kiyoharu Tsutsumi
;
Tatsuya Nakano
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
2000年
关键词:
193-nm Resist;
Alicyclic;
Synthesis;
Polar Groups;
Solubility Parameter;
Adamantane;
lacton;
Acrylate.;
38.
Seocnd-generation 193-nm bottom antireflective coatings (BARCs)
机译:
第二代193 nm底部抗反射涂层(BARCa)
作者:
Jim D.Meador
;
Xie Shao
;
Vandana Krishnamurthy
;
Manuel Arjona
;
Mandar Bhave
;
Gu Xu
;
James Claypool
;
Anne Lindgren
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
2000年
关键词:
193-nm lithography;
antireflective coating;
dye-attached polymer;
conformal;
spin-bowl compatibility;
39.
Study of acid transport using IR spectroscopy and SEM
机译:
使用红外光谱和SEM研究酸的迁移
作者:
Michael D.Stewart
;
Mark H.Somervell
;
Hoang Vi Tran
;
Sergei V.Postnikov
;
C.Grant Willson
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
2000年
关键词:
Acid diffusion;
CD bias;
isofocal bias;
post exposure bake;
infrared spectrocopy;
SEM;
40.
Thermal acid generator (TAG) synthesis variables and their effect on resist performance
机译:
热酸产生剂(TAG)的合成变量及其对抗蚀剂性能的影响
作者:
Joe Oberlander
;
Stan Wanat
;
Doug Mckenzie
;
Elaine Kokinda
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
2000年
关键词:
TAG;
acid;
iodonium salt;
sulfonate ester;
i-line;
insulator resist photoresist;
41.
Application of photodecomposable base concept to 193 nm resists
机译:
光可分解基础概念在193 nm抗蚀剂中的应用
作者:
Munirathna Padmanaban
;
Jun-Bom Bae
;
Michelle Cook
;
Woo-Kyu
;
Axel Klauck-Jacobs
;
Takanori Kudo
;
M.Dalil Rahman
;
Ralph R.Dammel
;
Jeffrey D.Byers
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
2000年
关键词:
Chemically amplified 193nm resists;
delay time stability;
photodecomposable base;
trialkylsulfonium hydroxide.;
42.
Bake condition effect on hybrid lithography process for negative tone chemically amplified resists
机译:
烘烤条件对负性化学放大抗蚀剂混合光刻工艺的影响
作者:
L.pain
;
F.Sala
;
C.Higgins
;
B.Dalzotto
;
S.Tedesco
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
2000年
关键词:
DUV Lithography;
E-Beam;
Photoresis;
Diffusion;
Cross-linking;
43.
Characteristic study of electron beam stabilization for deep-UV photoresists
机译:
深紫外光致抗蚀剂的电子束稳定特性研究
作者:
Myoung-Soo Kim
;
Jae-Hak Choi
;
Chi-Hyeong Rho
;
Min-Jong Hong
;
Bum-Jin Jun
;
Myoung-Goon Gil
;
Bong-Ho Kim
;
Dong-JUn
;
Ahn
;
Matthew Ross
;
Selmer Wong
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
2000年
关键词:
Electron Beam Stabilization;
Deep-UV Photoresist;
Acetal Type;
Escap Types;
Aspect Ratio;
44.
Characterization of UV6 photoresist stabilization and implant masking for exclusive implementation in 180 nm device processing
机译:
UV6光致抗蚀剂稳定化和注入掩膜的特性可在180 nm器件处理中独家实施
作者:
Patrick S.Lysaght
;
Billy Nguyen
;
Gennadi Bersuker
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
2000年
关键词:
UV6;
i-line;
mix-and-match;
photostabilization;
implant mask;
outgassing;
ashing;
45.
Encapsulated inorganic resist technology
机译:
封装无机抗蚀剂技术
作者:
Theodore H.Fedynshyn
;
Scott P.Doran
;
Michele L.Lind
;
I.Sondi
;
E.Matijevic
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
2000年
关键词:
Encapsulated inorganic resist technology (EIRT);
lothography;
248 and 157 nm wavelength;
abosorbance;
46.
Examination of the relationships between photoresist dissolution and diffusion characteristics, lithographic predictors, and simulated lithographic performance
机译:
检查光致抗蚀剂的溶解和扩散特性,光刻预测指标和模拟光刻性能之间的关系
作者:
Steven G.Hansen
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
2000年
47.
Fast imaging algorithm for simulation pattern transfer in deep-UV resis and extracting post exposure bake parameters
机译:
快速成像算法,用于在深紫外线下模拟图案转移并提取曝光后烘烤参数
作者:
Mosong Cheng
;
Ebo Croffie
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
2000年
关键词:
Chemically amplified resist;
post expousre bake;
fast imaging;
simulation;
time complexity;
48.
Lithographic performance enhancement using top antireflective coating compositions made from water-soluble polymers
机译:
使用由水溶性聚合物制成的顶级抗反射涂料组合物提高光刻性能
作者:
Sunit Dixit
;
M.Dalil Rahman
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
2000年
关键词:
Antirefective Coatings;
Lithography;
Polymers;
Resist;
SEM;
Water-SOluble;
49.
Recent advances in a molecular level lithography simulation
机译:
分子级光刻模拟的最新进展
作者:
Gerard M.Schmid
;
Vivek K.Singh
;
Lewis W.Flanagin
;
Michael D.Stewart
;
Sean D.Burns
;
C.Grant Willson
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
2000年
关键词:
Acid diffusion;
post exposure bake;
computer simulation;
molecular model;
50.
Resist thickness optimization for multiple resists in a research and development lithography environment
机译:
在研发光刻环境中针对多种抗蚀剂的抗蚀剂厚度优化
作者:
David Steele
;
Branden Linley
;
Tien Dinh
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
2000年
关键词:
Resist Thickness;
uniformity;
temperature optimization;
process management;
51.
Thick film positive DUV photoresis for implant layer application
机译:
用于植入层应用的厚膜正DUV光致抗蚀剂
作者:
Michael Mori
;
James W.Thackeray
;
Cheng Bai Xu
;
George orsula Elizabeth Prettyman
;
Rosemary Bell
;
Robert Routh
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
2000年
关键词:
Thick film;
DUV positive photoresist;
chemical amplified implant resist;
lithography;
process window;
high aspect ratio.;
52.
Use of SU-8 negative photoresis for optical mask manufacturing
机译:
SU-8负性光刻胶在光学掩模制造中的用途
作者:
Alexei L.Bogdanov
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
2000年
关键词:
Negative e-beam resist;
photomask;
e-beam lithography, SU-8;
53.
Development of advanced ArF resist using alicyclic methacrylate copolymer: the optimum quenchers for this copolymer
机译:
使用脂环族甲基丙烯酸酯共聚物开发先进的ArF抗蚀剂:该共聚物的最佳淬灭剂
作者:
Yukiya Wakisaka
;
TSadayuki Fujiwara
;
Masayuki Tooymama
;
Hideaki Kuwano
;
Kozi Nishida
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
2000年
关键词:
HGBMA/MAdMA;
ArF;
quencher;
amide compounds;
basicity;
amphiphilicity;
polarity;
calculation;
54.
Environmentally stable lithograhy with acidity optimized TARC material
机译:
环境稳定的碎石,酸度经过优化的TARC材料
作者:
Kenichi Asahi
;
Yoshiyuki Tani
;
Ryuichi Yoshida
;
Koji Shimomura
;
Yusuke Takano
;
Yoshinori Nishiwaki
;
Hatsuyuki Tanaka
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
2000年
55.
Lithographic evaluation of recent 193 nm photoresists
机译:
最近193 nm光刻胶的光刻评估
作者:
Zhou Lin
;
Greg H.Baxter
;
Marta M.Rajaratnam
;
John D.Zimmerman
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
2000年
关键词:
Photoresist;
Lithography;
193 nm.;
56.
A nvoel wafer track-based resolution enhancement technology for 248nm DUV lithography
机译:
基于nvoel晶片轨迹的248nm DUV光刻分辨率增强技术
作者:
Tom Zhong
;
Emir Gurer
;
John Lewellen
;
Eddie Lee
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
2000年
关键词:
Contrast;
resolution;
DUV resist;
iso-dense bias;
process latitude;
post exposure bake;
enviroment control;
Prolith simulation;
track.;
57.
Study of Bi-layer engative-tone silylation process for 193-nm lithography
机译:
193nm光刻的双层电致甲硅烷基化工艺研究
作者:
H.Watanabe
;
I.Satou
;
M.Endo
;
H.Morimoto
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
2000年
关键词:
193nm lithography;
top surface imaging;
negative-tone;
bi-layer resist;
silylation;
protective group;
58.
Techniques to print sub-0.2 mu m contact holes
机译:
打印低于0.2微米接触孔的技术
作者:
K.Aramaki
;
T.Hamada
;
D.K.Lee
;
H.Okazaki
;
N.Tsugama
;
G.Pawlowski
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
2000年
关键词:
DUV contact hole photoresist;
acetal;
hybrid;
ESCAP;
binary mask;
lalftone phase-shift mask;
thermal flow;
RELACS~(TM);
59.
A novel spin coating technology for 248nm/193nm DUV lithography and low-k spin on dielectrics of 200/300mm wafers~(1,2)
机译:
200 / 300mm晶圆〜(1,2)的电介质上的248nm / 193nm DUV光刻和低k旋涂的新型旋涂技术
作者:
Emir Gurer
;
Tom Zhong
;
John Lewellen
;
Eddie Lee
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
2000年
关键词:
Enclosed spin coating;
evaporation control;
DUV;
low-k spin on dielectrics;
resist minimization;
300mm.;
60.
Progressions in deep ultraviolet bottom antireflective coatings
机译:
深紫外底部抗反射涂层的研究进展
作者:
George E.Bailey
;
Nicholas k.Eib
;
Earnest
;
C.Murphy
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
2000年
关键词:
deep ultraviolet;
conformaity;
compatibility;
BARC;
acetal;
acidity;
61.
Comparison of acrylate and methacrylate resin system in ArF ithography
机译:
ArF光刻中丙烯酸酯和甲基丙烯酸酯树脂体系的比较
作者:
Yasunori Uetani
;
Hiroaki Fujishima
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
2000年
关键词:
ArF;
2MAdMA;
2MAdAA;
GBLMA;
GBLAA;
methacrylate;
acrylate;
62.
193 nm thin layer imaging performance of 140nm contact hole pattrning and DOE Dry development process optimization of multi-layer resist process
机译:
140nm接触孔图案化和DOE的193 nm薄层成像性能多层抗蚀剂工艺的干显影工艺优化
作者:
Won D.Kim
;
SUngBo Hwang
;
Georgia Rich
;
Vicki Graffenberg
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
2000年
关键词:
TLI (Thin Layer Imaging);
193nm;
ArF lithography;
BIlayer Resist;
Small Contact Holes (140nm);
Dry Development. RIE (Reactive Ion Etching);
DOE (Design of Experiment).;
63.
Process margin enhancement for a 0.25 mu m metal etch process
机译:
0.25微米金属蚀刻工艺的工艺裕量提高
作者:
Chung Yi Lee
;
Wei EA Ma
;
Eng Hooi Lim
;
Alex Cheng
;
Raymond Joy
;
Mattthew Ross
;
Selmer Wong
;
Trey Marlowe
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
2000年
64.
Simulation of structure profiles in optical ithography of thick DNQ-novoolak based photoresists
机译:
厚DNQ-novoolak基光刻胶的光学光刻中的结构轮廓模拟
作者:
Song-Jo Chung
;
Joachim Schulz
;
Herbert Hein
;
Jurgen Mohr
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
2000年
关键词:
UV-Lithography;
AZ4562;
resist drying;
residual solvent;
thick film resist;
percolation;
structure profile;
65.
The acidity control for compatibility of novel organic bottom antireflective coating materials with various KrF and ArF photoresists
机译:
酸度控制,用于新型有机底部抗反射涂料与各种KrF和ArF光刻胶的相容性
作者:
Sung-Eun Hong
;
Min-Ho Jung
;
Jae-Chang JUng
;
Geunsu Lee
;
Jin-Soo Kim
;
Cha-Won Koh
;
Ki-Ho Baik
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
2000年
关键词:
Organic BARC;
Compatibility;
Acetal Type Resist;
Annealing Type Resist;
KrF Lithography;
ArF Lithography;
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