机译:外延生长过程中多层结构的不均匀性和非线性对掺杂区中掺杂物再分布的影响
机译:重掺杂磷的外延硅膜的化学键合状态和掺杂剂的重新分布:毫秒激光退火和掺杂浓度的影响
机译:掺杂掺杂剂再分配,相位传播和局部化学变化在层状氧化物电池阴极的合成中
机译:在RTA期间SOI掺杂在SOI中:缩小Si层中掺杂的研究
机译:Si(1-x)Ge(x)(001)气源分子束外延期间的超高B掺杂:层生长动力学,掺杂剂掺入,电激活和载流子传输的机理研究。
机译:亚纳米级分辨率的差分霍尔效应测量方法用于超薄掺杂Si1-的有源掺杂物浓度分布xGex和Si层
机译:一种在制造检测比较期间多层结构中掺杂剂再分配的方法。核对再分配的非线性,参数和辐射缺陷的时间依赖性。