机译:根据块状,量子阱和量子阱混合的InGaAsP结构的带边吸收光谱预测的电吸收调制器性能
机译:带宽超过20 GHz的高速块状InGaAsP-InP电吸收调制器
机译:1.5 - MU M InGaASP / INP MQWS电吸收调制器的分析与优化
机译:优化负普雷切普尔普克尔德尔迪IngaASP散装电吸收调制器
机译:量子阱电吸收波导调制器的优化。
机译:退火对1.3μmInAs-InGaAs-GaAs量子点电吸收调制器性能的影响
机译:重新审视了Franz-Keldysh效应:电吸收包括 带间耦合和激子效应