机译:a-Si:H高速PECVD沉积参数对SPC多晶硅薄膜材料质量的影响
机译:在2 MeV电子轰击产生的各种缺陷密度范围内研究了吸收层缺陷密度与a-Si:H和μc-Si:H太阳能电池性能之间的关系
机译:功率密度对PECVD技术制备的a-Si:H和nc-Si:H薄膜的扩散长度和能隙的影响
机译:大面积低缺陷密度a-Si:H的高生产率
机译:氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜的低能电动力学。
机译:通过PECVD沉积低缺陷密度nc-Si:H薄膜的便捷有效方法
机译:沉积参数对使用A-Si的高速PECVD对SPC多Si薄膜材料质量的影响:H.
机译:通过低温pECVD氧化物和氮化物钝化硅表面和体缺陷