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机译:a-Si:H高速PECVD沉积参数对SPC多晶硅薄膜材料质量的影响
机译:沉积温度对PECVD沉积a-Si:H薄膜非晶结构的影响
机译:使用PECVD方法高速沉积等离子体聚合薄膜及其光学特性
机译:多晶硅薄膜p〜+ -n-n〜+同质结太阳能电池和异质结太阳能电池在a-Si和poly-Si层的界面处有和没有μc-Si薄层的分析
机译:高速率为13.56MHz PECVD A-Si:H对于SPC Poly-Si薄膜太阳能电池
机译:通过沉积方法和膜厚控制和设计PECVD碳掺杂低k二氧化硅薄膜的关键性能。
机译:射频等离子体增强化学气相沉积(RF PECVD)反应器中样品高度对氮化硅薄膜光学性能和沉积速率的影响
机译:沉积参数对使用A-Si的高速PECVD对SPC多Si薄膜材料质量的影响:H.