SISTEM REAKTOR TUNGGAL PECVD (PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION) UNTUK PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS MATERIAL SILIKON AMORF (a-Si)

• 1. 用于在容器内部进行等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)内阻挡层的装置,所述装置包括被电磁阀隔离的气路 [P] . 中国专利： CN101248211B . 2010.09.15
• 2. 用于在容器内部进行等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)内阻挡层的装置,所述装置包括被电磁阀隔离的气路 [P] . 中国专利： CN101248211A . 2008-08-20
• 3. SISTEM REAKTOR TUNGGAL PECVD (PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION) UNTUK PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS MATERIAL SILIKON AMORF (a-Si) [P] . IDP000029660A . 2001-09-20

  机译： PECVD单反应器系统（等离子增强化学气相沉积），用于生长硅藻土材料（a-Si）的薄层

• 4. SISTEM REAKTOR GANDA PECVD UNTUK PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS MATERIAL SILIKON AMORF (a-Si) [P] . ID29670A . 2001-09-20

  机译： 薄原子硅材料（a-Si）的PECVD多反应器系统

• 5. SISTEM REAKTOR GANDA PECVD UNTUK PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS MATERIAL SILIKON AMORF (a-Si) [P] . IDP000029670A . 2001-09-20

  机译： 薄原子硅材料（a-Si）的PECVD多反应器系统

• 1. Nanomechanical and Electrochemical Properties of Diamond-Like Carbon （DLC） Films Deposited by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition （PECVD） Technique [J] . 王静, 刘贵昌, 徐军, 等离子体科学和技术：英文版 . 2010,第004期
• 2. Effect of Gas Sources on the Deposition of Nano-Crystalline Diamond Films Prepared by Microwave Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition [J] . WENG Jun, XIONG Liwei, WANG Jianhua, 等离子体科学和技术（英文版） . 2010,第006期
• 3. A study of sub-atmospheric chemical vapor deposition (SACVD) O3-TEOS UGS, BPSG, PSG, and plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) PSG film as sacrificial layers in a micro-fluid dispenser device [C] . Ming-Tung Lee, Huang, P., . 2002
• 4. Development of plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) gate dielectrics for TFT applications. [D] . Fenger, Germain L. 2010
• 5. Effect of Sample Elevation in Radio Frequency Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (RF PECVD) Reactor on Optical Properties and Deposition Rate of Silicon Nitride Thin Films [O] . Mateusz Œmietana, Robert Mroczyński, Norbert Kwietniewski 2014
• 6. Studi Optimasi Parameter Daya RF untuk Penumbuhan Lapisan Tipis Mikrokristal Silikon dengan Metode Hot Wire Cell PECVD [O] . S. Amiruddin, I. Usman, T. Winata 2005
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• 1. Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition （PECVD） at Atmospheric Pressure （AP） of Organosilicon Films for Adhesion Promotion on Ti15V3Cr3Sn3Al and Ti6Al4V [J] . Jana Haag1 ,Tobias Mertens1 ,Max Kolb1 . 材料科学与工程：中英文A版 . 2015,第007期
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• 4. 离子轰击对等离子体增强化学气相沉积(PECVD)TiN膜中残余氯的影响机制探讨 [C] . 谢飞 ,何家文 . 中国机械工程学会第三届全国青年学术会议 . 1998
• 5. 微波等离子体刻蚀辅助石墨烯生长化学气相沉积系统 [A] . 陈鑫耀 . 2016