SISTEM REAKTOR GANDA PECVD UNTUK PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS MATERIAL SILIKON AMORF (a-Si)

• 1. 一种杂原子掺杂的氧-孔双渐变氧化亚硅材料及其制备和应用 [P] . 中国专利： CN113851639A . 2021-12-28
• 2. 具有旋转反应器管的等离子体增强型原子层沉积系统 [P] . 中国专利： CN106480429A . 2017-03-08
• 3. SISTEM REAKTOR GANDA PECVD UNTUK PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS MATERIAL SILIKON AMORF (a-Si) [P] . IDP000029670A . 2001-09-20

  机译： 薄原子硅材料（a-Si）的PECVD多反应器系统

• 4. SISTEM REAKTOR TUNGGAL PECVD (PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION) UNTUK PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS MATERIAL SILIKON AMORF (a-Si) [P] . IDP000029660A . 2001-09-20

  机译： PECVD单反应器系统（等离子增强化学气相沉积），用于生长硅藻土材料（a-Si）的薄层

• 5. SISTEM REAKTOR TUNGGAL PECVD (PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION) UNTUK PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS MATERIAL SILIKON AMORF (a-Si) [P] . ID29660A . 2001-09-20

  机译： PECVD单反应器系统（等离子增强化学气相沉积），用于生长硅藻土材料（a-Si）的薄层

• 1. Improved diphasic nc-Si/a-Si:H I-layer materials using PECVD p-i-n junction solar cell applications [C] . Huiying Hao, Shibin Zhang, Yanyue Xu, . 2005
• 2. Studi Optimasi Parameter Daya RF untuk Penumbuhan Lapisan Tipis Mikrokristal Silikon dengan Metode Hot Wire Cell PECVD [O] . S. Amiruddin, I. Usman, T. Winata 2005

• 1. 超高真空(UHV)PECVD系统沉积a-Si<1-X>C<,X>:H<,K>薄膜及其特性 [C] . 容幸福 ,高斌升 ,秦志钰 . 中国北方焊接学术会议 . 2000
• 2. RF-PECVD和DBD-PECVD制备a-Si：H薄膜的性能研究及其比较 [A] . 陈萌炯 . 2006