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机译:集成了1.3 / spl mu / m的可调谐InGaAsP / InP DFB激光器
机译:CH / SUB 4 // H / SUB 2 / RIE的成功利用用于制造1.3 / SPL MU / M INGAASP / INP集成激光器,采用对接无源波导
机译:被动锁模InGaAsP / InP半导体激光器的高工作温度
机译:飞秒激光束写入在掺d介质中获得的埋入式压陷覆层波导中Cr4 +:YAG饱和吸收体的被动Q开关
机译:InGaASP / INP多量子阱埋脊波导激光二极管的制造与表征
机译:埋氧氧化物脊波导Inalas-Inp-InGaasp(λ约1.3微米)量子阱异质结构激光二极管