Gain-coupled distributed feedback lasers made by focused ion beam implantation: process parameters and device properties

机译：聚焦离子束注入制成的增益耦合分布式反馈激光器：工艺参数和器件特性

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Gain-coupled GaInAsP/InP and GaInAs/GaAs distributed feedback lasers have been fabricated by maskless ion beam implantation with focused ion beams. The influence of implantation dose, operating temperature and resonator length on the laser properties has been investigated and compared with theory. Optically as well as electrically pumped lasers show nearly 100% longitudinal single mode yield and are well suited for photonic device integration in multiple wavelength multiplexing systems.

机译：增益耦合的GaInAsP / InP和GaInAs / GaAs分布式反馈激光器已经通过聚焦离子束的无掩模离子束注入制成。研究了注入剂量，工作温度和谐振腔长度对激光性能的影响，并与理论进行了比较。光泵和电泵浦激光器显示出近100％的纵向单模屈服，非常适合在多波长多路复用系统中集成光子器件。

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来源
《Indium Phosphide and Related Materials, 1996. IPRM '96., Eighth International Conference on》|1996年|P.327-330|共4页
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作者
Orth; A.; Hofling; E.;
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原文格式 PDF
正文语种
中图分类无线电电子学、电信技术;
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