机译:低噪声,高速Ga / sub 0.47 / In / sub 0.53 / As / Al / sub 0.48 / In / sub 0.52 / As 0.1- / splμ/ m MODFET和在其上制造的高增益/带宽三级放大器GaAs衬底
机译:0.1微米栅极In / sub 0.3 / Ga / sub 0.47 / As / In / sub 0.52 / Al / sub 0.48 / As / InP MODFET的背照特性以及掺Er In / sub 0.52 / Al / sub 0.48 / As缓冲层
机译:在GaAs衬底上生长的In_(0.52)Al_(0.48)As / In_(0.53)Ga_(0.47)As异质结双极晶体管中使用的InP,InAlAs和AlGaAsSb变质缓冲层的热特性
机译:具有InAs和GaAs插入物不同组合的In0.52Al0.48As / In0.53Ga0.47As / In0.52Al0.48As / InP HEMT纳米异质结构的结构和电物理性质
机译:低噪声,高速GA / SUB 0.47 / IN / SUP 0.53 / AS / AS / AS / AS / SUN 0.5 / IN / SUP 0.52 / AS 0.1- / SPL MU / M MODFET和高增益/带宽三级放大器制造Gaas底物
机译:应变的铟(0.52)铝(0.48)砷化物/铟(x)镓(1-x)砷化物(x大于0.53)高电子迁移率晶体管(HEMT),用于微波/毫米波应用。
机译:InGaAs / InAlAs / InP量子级联激光器的In0.52Al0.48As波导层MBE生长条件的优化
机译:In0.52al0.48as / In0.53Ga0.47as,Gaas:In和InGaas / Gaas多层膜的生长和性质
机译:具有Er掺杂In(0.52)al(0.48)作为缓冲层的0.1微米栅极In(0.3)Ga(0.47)as / In(0.52)al(0.48)as / Inp mODFET的背栅特性