机译:1.55μmInGaAs-InGaAsP MQWλ/ 4位移DFB激光器中高速特性对量子阱数量的依赖性
机译:用于1.3微米半导体激光器的InGaAsN / GaAsN材料系统的增益和阈值特性
机译:1.35微米激光二极管泵浦连续波KGW:Nd激光器
机译:激光特性为1.35亩,InGaAs / IngaAsp离单限制 - 多量子井结构
机译:被动锁模InGaAsP / InP半导体激光器的高工作温度
机译:通过采用光学光谱分程利用基于INP的量子级联激光器的InGaAs层的非接触式测量
机译:在低温和室温下高压下测量的1.3μmInGaAsP和1.5μmInGaAs量子阱激光器的辐射和俄歇复合