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机译：适用于E / D FET逻辑应用的InAlAs / In / sub x / Ga / sub 1-x / As HIGFET（x <或= 0.53）

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The design of InAlAs/In/sub x/Ga/sub 1-x/As (x

机译：研究了具有晶格匹配和应变沟道设计的InAlAs / In / sub x / Ga / sub 1-x / As（x <或= 0.53）异质结构绝缘栅FET的设计。结果表明，随着InGaAs通道中In含量增加到65％，DC（g / sub m /，K）和微波（f / sub T /，f / sub max /）特性得到增强：最佳性能为μ = 12890 cm / sup 2 // Vs，gm = 438 mS / mm，f / sub T / = 27 GHz。取向效应表明，V / sub th /最高可移至-0.128 V，g / sub m /的变化非常小。增强和耗尽模式的HIGFET操作是通过在通道中进行额外的选择性离子注入来控制的。

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来源
《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》|1991年|P.242-245|共4页
会议地点
作者
Chan; Y.-J.; Pavlidis; D.;
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作者单位

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会议组织
原文格式 PDF
正文语种
中图分类无线电电子学、电信技术;
关键词

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