机译:使用BCB薄膜层的60 GHz波段单片HEMT放大器
机译:使用BCB薄膜层的60 GHz带整体倍增器
机译:基于单芯片44 GHz InP的HEMT低噪声放大器的低温冷却性能
机译:一个12 GHz带单片HEMT低噪声放大器
机译:氧化锌,薄膜,场效应晶体管的行为建模以及像素驱动器,模拟放大器和低噪声RF放大器电路的设计。
机译:用于超低功耗低噪声应用的100MTnm AlSb / InAs HEMT
机译:采用湿蚀刻氢钝化Inp HEmT器件的低噪声低温X波段放大器
机译:可制造的三叠层alsb / Inas HEmT低噪声放大器,采用晶圆级封装技术,适用于轻量级和超低功耗应用