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Low-noise hemt - amplifier with a large bandwidth and active input load

机译:低噪声hemt-具有大带宽和有效输入负载的放大器

摘要

Low-noise broadband amplifier with:a first transistor with high electron mobility transistor (hemt) (q1), the first gate -, source - - and the drain terminals, in a source - circuit are configured;an active inductor - and capacitor-free impedance circuit (20) for providing an input impedance matching of the first hemt (q1),the active impedance circuit (20) a second hemt (q2), the second gate -, - source and drain terminals and in a gate - circuit is configured,wherein the second source - connection with the first gate - connection is coupled to and the second gate - terminal is grounded;an input terminal (24), which together with the first gate - connection of the first hemt (q1) is coupled; andan output terminal (34), which together with the first drain - connection of the hemt (q1) is coupled.
机译:低噪声宽带放大器,具有:具有高电子迁移率晶体管(hemt)(q1)的第一晶体管,在源极-电路中配置了第一栅极-源极-和漏极端子;有源电感器-和电容器-自由阻抗电路(20),用于提供第一hemt(q1),有源阻抗电路(20),第二hemt(q2),第二栅极-,-源极和漏极端子以及栅极-电路中的输入阻抗匹配配置其中第二源极-与第一栅极的连接-耦合至第二栅极-端子接地;输入端子(24)与第一栅极-第一线圈(q1)的连接耦合输出端子(34)与hemt(q1)的第一漏极-连接一起耦合。

著录项

  • 公开/公告号DE112006002920B4

    专利类型

  • 公开/公告日2016-07-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 NORTHROP GRUMMAN SYSTEMS CORPORATION;

    申请/专利号DE20061102920T

  • 发明设计人 YAOCHUNG CHEN;

    申请日2006-10-06

  • 分类号H03F3/16;H03F3/193;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-21 14:10:19

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