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Low-noise hemt - amplifier with a large bandwidth and active input load

机译:低噪声hemt-具有大带宽和有效输入负载的放大器

摘要

Low-noise broadband amplifier with:a first transistor with high electron mobility transistor (hemt), the first gate -, source - - and the drain terminals, in a source - circuit are configured;an active impedance circuit for providing an input impedance adaptation of the first hemt;an input terminal, which together with the first gate - terminal of the first hemt is coupled; andan output terminal, which together with the first drain - terminal of the hemt is coupled.
机译:低噪声宽带放大器,具有:具有高电子迁移率晶体管(hemt)的第一晶体管,源极电路中的第一栅极-源极-和漏极端子;有源阻抗电路,用于提供输入阻抗适配第一端子的输入端子,与第一端子的第一栅极-端子耦接;输出端子,与hemt的第一漏极-端子耦合。

著录项

  • 公开/公告号DE112006002920T5

    专利类型

  • 公开/公告日2008-10-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号DE20061102920T

  • 发明设计人

    申请日2006-10-06

  • 分类号H03F3/16;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-21 19:49:31

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