EUV lithography; chemical integrity; cone defects; bulk filtration; size exclusion mechanism; adsorption mechanism; chemical purity; filtration;
机译:在硬掩膜层上使用源自生物质的高灵敏度负型植物基抗蚀剂材料进行电子束光刻
机译:抵抗材料设计以提高EUV光刻的分辨率和灵敏度
机译:使用EUV光刻技术的hp 2x-nm设备的抗蚀剂材料和工艺的进展
机译:用于散装材料的高性能过滤:专为EUV光刻设计的新型HDPE膜滤波器
机译:用于无掩模EUV光刻的纳米镜的设计,制造和光学分析
机译:高敏感性抗蚀性对EUV光刻进行抗衡性:材料设计策略和绩效结果综述
机译:高敏感性抗蚀性,对EUV光刻进行抗衡性:材料设计策略和绩效结果综述
机译:光化掩模成像:sHaRp EUV显微镜的最新结果和未来方向。会议:极紫外(EUV)光刻V,加利福尼亚州圣何塞,2014年2月23日;相关信息:期刊出版日期:2014年4月17日。