Silicon carbide; Aging; Leakage currents; Bridge circuits; Analytical models; Logic gates; Wires;
机译:低开关能量1200V常关SiC VJFET电源模块
机译:开发的1200V / 50A完整SIC岩位器和VMOS电源模块的比较研究
机译:1200V全SiC电源模块的1MHz开关操作
机译:具有1200V / 50A裸片的串联-并联混合连接的10kV / 200A SiC MOSFET模块
机译:高性能SiC功率模块中栅极网络的模型开发和评估
机译:1200V / 200A全SiC电源模块在开启瞬态时上侧和下侧开关的vgs特性的建模和分析
机译:用于1200V / 200A全款电源模块的开启瞬态上侧和下侧开关VGS特性的建模与分析
机译:基于1200 V,100 a,200°C,4H-siC mOsFET的电源开关模块的电气和热性能