MOSFET; Layout; Logic gates; Integrated circuits; CMOS technology; Geometry; Manufacturing processes;
机译:使用MOSFET的八角布局样式促进电离辐射环境中的匹配
机译:通过在高温环境中使用八边形布局样式来提高SOI MOSFET的电气性能
机译:在22nm技术节点用MMOS批量模型中递减各种优化技术对强反转和亚阈值区域的影响
机译:使用180nm散装CMOS ICS技术节点MOSFET对MOSFET的影响
机译:用于亚22纳米节点数字CMOS逻辑技术的基于锗的量子阱沟道MOSFET的工艺集成和性能评估
机译:采用22 nm节点CMOS技术的SiH4和B2H6前体的ALD W填充金属功能的pMOSFET
机译:具有改进的驱动mOsFET建模的功率意识互连缓冲器优化及其对体和sOI CmOs技术的影响
机译:采用Bulk和sOI CmOs技术的mOsFET RF特性