Logic gates; Transistors; Tunneling; Effective mass; Mathematical model; Schottky barriers; Electron tubes;
机译:栅介电材料对不同沟道长度的弹道肖特基势垒石墨烯纳米带场效应晶体管和碳纳米管场效应晶体管电流-电压特性的依赖性
机译:通过化学预处理在Au / III-V半导体肖特基势垒接触中引入的势垒高度不均匀性的弹道电子发射显微镜研究
机译:杂化对碳纳米管场效应晶体管肖特基势垒高度的作用
机译:弹道纳米管晶体管肖特基势垒高度提取的计算研究
机译:弹道电子发射显微镜研究肖特基势垒高度的横向变化。
机译:碳纳米管悬浮肖特基势垒晶体管中Van Hove奇异性和电特性的温度依赖性的观察
机译:利用弹道电子发射显微镜和弹道空穴发射显微镜测量Cu / si(001),ag / si(001)和au / si(001)界面的肖特基势垒高度