Silicides; Silicidation; Transistors; CMOS technology; Silicon; Substrates; Conductivity;
机译:BiCMOS技术中用于NFET,PFET,扩散电阻和NPN的硅化钛/硅非欧姆接触电阻
机译:Si:P上经过预接触非晶化注入处理的硅化钛:接触电阻率接近1×10−9 Ohm-cm2
机译:具有与CMOS技术高度兼容的3D可堆叠和嵌入式应用的富硅氧化物电阻开关
机译:钛(德国)硅化物具有10 Δ9 sup>ω·cm 2 sup>接触电阻率,并改善了高级CMOS技术的兼容性
机译:低电阻率的锗硅化物接触层形成了用于纳米级CMOS的磷掺杂的硅锗合金源/漏结。
机译:具有嵌入式校准方案的动态pH传感器采用先进的CMOS FinFET技术
机译:纳米级CMOS技术中用于降低接触电阻的硅化镍界面工程