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International Workshop on Junction Technology
International Workshop on Junction Technology
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1.
High-performance heterojunctions based on 2D semiconductors
机译:
基于2D半导体的高性能异质结
作者:
Mingqiang Huang
;
Xiong Xiong
;
Yanqing Wu
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2018年
关键词:
energy gap;
Fermi level;
invertors;
lattice constants;
phosphorus;
p-n heterojunctions;
semiconductor growth;
semiconductor materials;
thermal expansion;
2.
Monolayer doping and other strategies in high surface-to-volume ratio silicon devices
机译:
高表面积体积比硅器件中的单层掺杂和其他策略
作者:
Ray Duffy
;
Noel Kennedy
;
Gioele Mirabelli
;
Emmanuele Galluccio
;
Paul K. Hurley
;
Justin D. Holmes
;
Brenda Long
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2018年
关键词:
Doping;
Surface treatment;
Substrates;
Ion implantation;
Implants;
Rough surfaces;
Surface roughness;
3.
Highly selective etch of silicon dioxide with tungsten hard mask deposited by PVD process
机译:
通过PVD工艺沉积的钨硬掩模对二氧化硅的高选择性蚀刻
作者:
Yuanhui Fang
;
Jian Zhang
;
Yu-Long Jiang
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2018年
关键词:
Three-dimensional displays;
Vacuum technology;
Microelectromechanical systems;
Optical engineering;
Manufacturing;
Microelectronics;
Nanostructures;
4.
Activation of high-temperature-implanted phosphorus atoms in 4H-SiC by atmospheric pressure thermal plasma jet annealing
机译:
常压热等离子体射流退火活化4H-SiC中高温注入的磷原子
作者:
H. Hanafusa
;
S. Higashi
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2018年
关键词:
Annealing;
Silicon carbide;
Conductivity;
Phosphorus;
Impurities;
Radiation effects;
Cooling;
5.
Activation trends in millisecond annealing of heavy n-type doping of silicon
机译:
重型n型掺杂硅的毫秒退火中的激活趋势
作者:
Paul J. Timans
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2018年
关键词:
Cooling;
Ion implantation;
6.
Advanced implant application for 7nm and beyond
机译:
适用于7nm及更高波长的先进植入物应用
作者:
Wei David Zou
;
Kyu-Ha Shim
;
Todd Henry
会议名称:
《》
|
2018年
关键词:
Implants;
System-on-chip;
Performance evaluation;
Reliability;
Silicon;
Roads;
Mobile handsets;
7.
High activation reaching supersaturation achieved by short-duration flash lamp annealing
机译:
通过短时间闪光灯退火实现高活化达到过饱和
作者:
Hideaki Tanimura
;
Kenji Inoue
;
Hikaru Kawarazaki
;
Takahiro Yamada
;
Kazuhiko Fuse
;
Takayuki Aoyama
;
Shinichi Kato
;
Ippei Kobayashi
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2018年
关键词:
Annealing;
Junctions;
Silicon;
Logic gates;
Tools;
Prototypes;
Solids;
8.
Impact of the end of CMOS miniaturization on ICT and the world after that
机译:
CMOS微型化的终结对ICT及其后世界的影响
作者:
Hiroshi Iwai
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2018年
关键词:
Artificial intelligence;
Neurons;
Transistors;
Electron tubes;
Power demand;
9.
Improved thermal stability of Al/TiÜ2-Ge ohmic contact by inserting single layer graphene
机译:
通过插入单层石墨烯改善Al /TiÜ2/ n-Ge欧姆接触的热稳定性
作者:
Yi Zhang
;
Genquan Han
;
Jiabo Chen
;
Yan Liu
;
Jincheng Zhang
;
Yue Hao
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2018年
关键词:
Graphene;
Thermal stability;
Annealing;
Current density;
Three-dimensional displays;
Atomic layer deposition;
Degradation;
10.
Effect of stress on activation during the formation of np junction in co-implanted germanium
机译:
应力对共注入锗中pn结形成过程中活化的影响
作者:
Nur Nadhirah Rashid
;
Umar Abdul Aziz
;
Siti Rahmah Aid
;
Suwa Akira
;
Hiroshi Ikenoue
;
Fang Xie
;
Anthony Centeno
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2018年
关键词:
Annealing;
Strain;
Junctions;
Atomic beams;
Stress;
Germanium;
Substrates;
11.
Novel photodetector based on FD-SOI substrate with interface coupling effect
机译:
具有界面耦合效应的基于FD-SOI衬底的新型光电探测器
作者:
J. Wan
;
J N. Deng
;
X Y. Cao
;
H B. Liu
;
B R. Lu
;
Y F. Chen
;
A. Zaslavsky
;
S. Cristoloveanu
;
M. Bawedin
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2018年
关键词:
Silicon;
Photodetectors;
Substrates;
Lighting;
Couplings;
MOSFET;
Logic gates;
12.
Simulation of Ge/(Si)GeSn hetero-junction tunnel FETs with suppressed ambipolar current
机译:
抑制双极性电流的Ge /(Si)GeSn异质结隧道FET的仿真
作者:
Yongwang Zhang
;
Suyuan Wang
;
Jun Zheng
;
Chunlai Xue
;
Chuanbo Li
;
Yuhua Zuo
;
Buwen Cheng
;
Qiming Wang
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2018年
关键词:
TFETs;
Logic gates;
Tunneling;
Photonic band gap;
Semiconductor process modeling;
Mathematical model;
13.
Analyses of 3D atomic arrangements of impurity atoms doped in silicon by spectro-photoelectron holography technique
机译:
分光光电子全息技术分析硅中掺杂原子的3D原子排列
作者:
Kazuo Tsutsui
;
Tomohiro Matsushita
;
Takayuki Muro
;
Yoshitada Morikawa
;
Kotaro Natori
;
Takuya Hoshii
;
Kuniyuki Kakushima
;
Hitoshi Wakabayashi
;
Kouichi Hayashi
;
Fumihiko Matsui
;
Toyohiko Kinoshita
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2018年
关键词:
Iron;
IP networks;
14.
Effect of deep level traps on the I-V and C-V characteristics of InP/InGaAs heterojunction
机译:
深能级陷阱对InP / InGaAs异质结的I-V和C-V特性的影响
作者:
Man-Li Zhao
;
Hong-Liang Lu
;
Yu-Ming Zhang
;
Yi-Men Zhang
;
Xiao-Hong Zhao
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2018年
关键词:
Radiation effects;
Capacitance-voltage characteristics;
Heterojunctions;
Protons;
Capacitance;
Space charge;
Heterojunction bipolar transistors;
15.
Effect of platinum interlayer on the thermal stability improvement of nickel stanogermanide
机译:
铂中间层对锡锗锗镍热稳定性提高的影响
作者:
Weijun Wan
;
Wei Ren
;
Xiaoran Meng
;
Yunxia Ping
;
Xing Wei
;
Zhongying Xue
;
Wenjie Yu
;
Miao Zhang
;
Zengfeng Di
;
Bo Zhang
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2018年
关键词:
Annealing;
Thermal stability;
Films;
Nickel;
Surface morphology;
Resistance;
Morphology;
16.
On the manifestation of Ge pre-amorphization implantation (PAI) impact on both the formation of ultrathin TiSi
x
and the specific contact resistivity in TiSi
x
-Si contacts for sub-16/14 nm nodes and beyond
机译:
Ge预非晶化注入(PAI)的表现既影响超薄TiSi
x inf>的形成又影响TiSi
x inf> / n-Si接触子的比接触电阻率-16/14 nm及以上节点
作者:
Jun Luo
;
Shujuan Mao
;
Jing Xu
;
Guilei Wang
;
Dan Zhang
;
Xue Luo
;
Ningyuan Duan
;
Shi Liu
;
Wenwu Wang
;
Dapeng Chen
;
Junfeng Li
;
Chao Zhao
;
Tianchun Ye
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2018年
关键词:
Contacts;
Silicon;
Silicidation;
Conductivity;
Films;
Temperature measurement;
Schottky diodes;
17.
Interfacial passivation by LiF or PbF
2
for high efficiency perovskite solar cell
机译:
LiF或PbF
2 inf>的界面钝化用于高效钙钛矿太阳能电池
作者:
Yiqiang Zhan
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2018年
关键词:
Passivation;
Photovoltaic cells;
Information science;
Electronic mail;
Performance evaluation;
18.
Atomic layer deposited solid sources for doping of high aspect ratio semiconductor structures
机译:
用于高纵横比半导体结构掺杂的原子层沉积固体源
作者:
Bodo Kalkofen
;
Mindaugas Silinskas
;
Marco Lisker
;
Y. S. Kim
;
Edmund P. Burte
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2018年
关键词:
Films;
Phosphorus;
Silicon;
Doping;
Annealing;
Antimony;
Boron;
19.
Au-based and Au-free ohmic contacts to AlGaN/GaN structures on silicon or Sapphire substrates
机译:
与硅或蓝宝石衬底上的AlGaN / GaN结构的金基和无金欧姆接触
作者:
Wenmao Li
;
Jian Zhang
;
Robert Sokolovskij
;
Yumeng Zhu
;
Yongle Qi
;
Xinpeng Lin
;
Jingyi Wu
;
Lingli Jiang
;
Hongyu Yu
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2018年
关键词:
Ohmic contacts;
Annealing;
Metals;
Contact resistance;
Substrates;
Silicon;
Gallium nitride;
20.
Opportunities for breaking an energy generation limit of photovoltaic using multijunction and super-multijunction cells
机译:
使用多结和超多结电池突破光伏发电限制的机会
作者:
Kenji Araki
;
Kan-Hua Lee
;
Masafumi Yamaguchi
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2018年
关键词:
Junctions;
Photovoltaic cells;
Photonic band gap;
Radiative recombination;
Silicon;
Electric potential;
Power conversion;
21.
Junction profiling on hot carrier stressed device by dual lens electron holography and scanning capacitance microscopy
机译:
双透镜电子全息和扫描电容显微镜在热载流子受压器件上进行结轮廓分析
作者:
Y.Y. Wang
;
J. Nxumalo
;
D. Ioannou
;
A. Katnani
;
J. Jeon
;
K. Bandy
;
M. Mcdonald
;
J. Bruley
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2018年
关键词:
Junctions;
Stress;
Hot carriers;
Holography;
Logic gates;
Semiconductor device measurement;
Capacitance measurement;
22.
Enhancing phosphorous doping level on Ge by Sb co-doping with non-beamline implantation methods
机译:
通过非Beamline注入Sb共掺杂提高Ge上的磷掺杂水平
作者:
Chuck Paeng
;
He Zhang
;
Bodo Kalkofen
;
Y S Kim
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2018年
关键词:
Doping;
Annealing;
Junctions;
Plasmas;
Ions;
Surface treatment;
Silicon;
23.
Light plastic integrated micro CPV module: PIC with three-junction PV cells
机译:
轻型塑料集成微型CPV模块:具有三结PV电池的PIC
作者:
Michihiko Takase
;
Masaharu Terauchi
;
Nobuhiko Hayashi
;
Hikaru Nishitani
;
Takuji Inohara
;
Youichirou Aya
;
Shutetsu Kanayama
;
Bunji Mizuno
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2018年
关键词:
Plastics;
Photovoltaic cells;
Lenses;
Integrated optics;
Optical device fabrication;
Printed circuits;
Photovoltaic systems;
24.
Optimized transport properties of GaN MISHEMTs with thin AlN interlayer
机译:
具有薄AlN中间层的GaN MISHEMT的优化传输性能
作者:
Qianlan Hu
;
Sichao Li
;
Tiaoyang Li
;
Xin Wang
;
Yanqing Wu
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2018年
关键词:
aluminium compounds;
carrier density;
electron mobility;
gallium compounds;
high electron mobility transistors;
high-k dielectric thin films;
III-V semiconductors;
MIS devices;
semiconductor device breakdown;
semiconductor device reliability;
semiconductor heteroju;
25.
Characterizing junction profiles in Ge photodetectors using scanning capacitance microscopy (SCM) and electron holography
机译:
使用扫描电容显微镜(SCM)和电子全息图表征Ge光电探测器中的结轮廓
作者:
J. N. Nxumalo
;
Y.Y. Wang
;
M. Iwatake
;
C. Molella
;
A. Katnani
;
J. Orcutt
;
J. Ayala
;
K. Nummy
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2018年
关键词:
Junctions;
Photodetectors;
Holography;
Silicon;
P-i-n diodes;
Electric potential;
Capacitance;
26.
Gate stack and Ni(SiGeSn) metal contacts formation on low bandgap strained (Si)Ge(Sn) semiconductors
机译:
在低带隙应变(Si)Ge(Sn)半导体上形成栅叠层和Ni(SiGeSn)金属接触
作者:
D. Buca
;
C. Schulte-Braucks
;
N. von den Driesch
;
A. T. Tiedemann
;
U. Breuer
;
J.M. Hartmann
;
P. Zaumseil
;
S. Mantl
;
Q.T. Zhao
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2018年
关键词:
Photonic band gap;
Logic gates;
Metallization;
CMOS technology;
Fabrication;
MOS capacitors;
27.
Characterization of β-Ga
2
O
3
Schottky barrier diodes
机译:
β-Ga
2 inf> O
3 inf>肖特基势垒二极管的表征
作者:
T. Kaneko
;
I. Muneta
;
T. Hoshii
;
H. Wakabayashi
;
K. Tsutsui
;
H. Iwai
;
K. Kakushima
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2018年
关键词:
Epitaxial layers;
Schottky barriers;
Schottky diodes;
Capacitance measurement;
Electric fields;
Anodes;
Capacitance-voltage characteristics;
28.
CMOS-compatible contact technology for Si photonics
机译:
CMOS兼容的硅光子接触技术
作者:
Philippe Rodriguez
;
Élodie Ghegin
;
Fabrice Nemouchi
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2018年
关键词:
Contacts;
Indium gallium arsenide;
Nickel;
Indium phosphide;
III-V semiconductor materials;
Conductivity;
Surface morphology;
29.
Parasitic resistance modeling and optimization for 10nm-node FinFET
机译:
10nm节点FinFET的寄生电阻建模和优化
作者:
Xicheng Duan
;
Peng Lu
;
Weicong Li
;
Jason C. S. Woo
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2018年
关键词:
contact resistance;
doping profiles;
MOSFET;
semiconductor device models;
technology CAD (electronics);
30.
Thermal failure and voltage overshoot models for diode behavior under electrostatic discharge stresses
机译:
静电放电应力下二极管行为的热故障和电压过冲模型
作者:
Hang Li
;
Yuanzhong Zhou
;
Meng Miao
;
Javier A. Salcedo
;
Jean-Jacques Hajjar
;
Kalpathy B. Sundaram
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2018年
关键词:
Electrostatic discharges;
Integrated circuit modeling;
Stress;
Thermal stresses;
Predictive models;
Mathematical model;
Transient analysis;
31.
Titanium (germano-)silicides featuring 10
−9
Ω·cm
2
contact resistivity and improved compatibility to advanced CMOS technology
机译:
具有10
−9 sup>Ω·cm
2 sup>接触电阻率的钛(锗烷)硅化物,并与先进的CMOS技术兼容
作者:
Hao Yu
;
Marc Schaekers
;
Soon Aik Chew
;
Jean-Luc Everaert
;
Ashish Dabral
;
Geoffrey Pourtois
;
Naoto Horiguchi
;
Dan Mocuta
;
Nadine Collaert
;
Kristin De Meyer
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2018年
关键词:
Silicides;
Silicidation;
Transistors;
CMOS technology;
Silicon;
Substrates;
Conductivity;
32.
Photodetector based on silicon-on-insulator with high responsivity
机译:
基于绝缘体上硅的高响应度光电探测器
作者:
X Y. Cao
;
H B. Liu
;
J N. Deng
;
W S. Lin
;
J. Wan
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2018年
关键词:
Photodetectors;
Silicon-on-insulator;
Silicon;
Substrates;
Lighting;
Performance evaluation;
Junctions;
33.
Damage recovery and strain induced by Phosphorous in laser annealed Ge
机译:
磷退火Ge中磷的损伤恢复和应变
作者:
S. Boninelli
;
F. Cristiano
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2018年
关键词:
Strain;
Annealing;
Ion implantation;
Microelectronics;
Photonics;
Ions;
34.
H
2
PLAD hydrogenation process on 3D NAND array poly-Si access devices
机译:
3D NAND阵列多晶硅访问设备上的H
2 inf> PLAD加氢工艺
作者:
Shu Qin
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2018年
关键词:
Annealing;
Three-dimensional displays;
Implants;
Performance evaluation;
Plasma temperature;
Reliability;
意见反馈
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