2 MOSFETs is reported in this work. The electros'/>
Semiconductor device modeling; Electric potential; MOSFET; Tunneling; SPICE; Numerical models; Sulfur;
机译:源漏直接隧穿控制的Ⅲ-Ⅴ沟道MOSFET的沟道长度定标极限
机译:对硅纳米线MOSFET中的弹道和隧道源极-漏极电流建模
机译:利用共源极和源极-漏极配置直接提取RF MOSFET模型参数的方法
机译:使用基于Schrodinger的直接隧穿纳米级MOSFET栅极电流的方法对栅极氧化物定标的极限进行建模
机译:具有再生源极-漏极区和ALD介电层的最后栅极铟镓砷MOSFET。
机译:带有石墨烯和钛源极-漏极触点的二维MoS2场效应晶体管的功函数调整
机译:具有高K介质的深亚微米mOsFET中直接隧穿栅极电流和栅极电容的建模。