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郑期彤; 张大伟; 江波; 田立林; 余志平;
清华大学微电子学研究所;
源漏隧穿; DG; MOSFET; 弹道输运; 器件模拟;
机译:直接源极到漏极隧穿区中的掺杂隔离肖特基源极/漏极双栅MOSFET设计
机译:NEGF研究:源极和漏极中的随机掺杂物聚集对弹道DG纳米MOSFET性能的影响
机译:沟道厚度变化对超薄体III-V MOSFET的能带结构和源极至漏极隧穿的影响
机译:使用WKB方法模拟10nm以下DG MOSFET中的源极至漏极(S / D)隧穿
机译:共振隧穿和带内隧穿二极管中电子传输的NEGF模拟
机译:具有位置载流子散射相关性的准弹道漏电流电荷和电容模型对纳米级对称DG MOSFET有效
机译:弹道导体中的量子输运:从电导演变 量子化到共振隧穿
机译:用Wigner函数法研究共振隧穿量子阱的弹道输运
机译:使用自对准异质结构源极和隔离漏极来隧穿MOSFET的装置,系统和方法
机译:使用自对准异质结构源和隔离的漏极隧穿Mosfet的装置,系统和方法
机译:具有在源极/漏极触点和源极/漏极区域之间设置的绝缘层的金属-绝缘体-半导体隧穿触点
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