Threshold voltage; Degradation; Mathematical model; MOS devices; Geometry; Semiconductor device modeling; Temperature measurement;
机译:JICG CMOS晶体管,用于在130nm散装SiGe Bicmos技术中减少总电离剂量和单一事件效果
机译:Multi-MGy辐射硬CMOS图像传感器:设计,表征和X / Gamma射线总电离剂量测试
机译:对辐射硬化的CMOS图像传感器暴露于超高压总电离剂量的退火效应
机译:延长65nm CMOS工艺设计套件,用于高全电离剂量效应
机译:单事件瞬态和总电离剂量对低于10 nm节点CMOS的III-V MOSFET产生影响。
机译:使用极薄的栅极介电层综合电离剂量效应的全电离剂量效应
机译:在0.18μmCmOs图像传感器工艺中,总电离剂量对mOs晶体管的I-V和噪声特性的影响