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张文娟; 张金利; 李军;
中国电子科技集团公司第13研究所;
CMOS器件; IC封装; 电离总剂量辐照; 仿真;
机译:塑料封装和老化对CMOS微电路中电离剂量响应的影响
机译:批量CMOS和CMOS / SOS器件总剂量测试方法的比较
机译:用于HL-LHC升级的65nm CMOS技术的1级总剂量评估
机译:总电离剂量辐照对CMOS技术的影响以及使用设计技术减轻总剂量效应
机译:高级批量CMOS技术中总剂量效应的分析和建模。
机译:使用I3T25 CMOS技术开发的有源元件设计信号发生器用于单路IC封装实现照度到频率的转换
机译:电离辐射容许CmOs aps图像传感器的设计和表征,最高可达30 mrd(si)总剂量
机译:商用CmOs器件空间应用的总剂量硬度保证。
机译:CMOS器件针对总剂量辐射效应进行了硬化
机译:CMOS器件克服了总剂量辐射效应
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