Logic gates; Aluminum gallium nitride; Wide band gap semiconductors; Analytical models; Electric potential; Integrated circuit modeling; HEMTs;
机译:AlGaN / GaN HEMT器件中表面电势和本征电荷的分析模型
机译:AlGaN / GaN Hemts中的一致表面电位基于漏极和栅极电流的建模
机译:包含陷阱电荷和极化感应电荷的三材料栅极AlGaN / GaN HEMT的沟道电势和阈值电压的分析模型
机译:AlGaN / GaN HEMT设备中通道电位和漏极电流的分析模型
机译:结合虚拟栅极和转移电子效应的影响,对AlGaN / GaN HFET的漏极电流特性进行分析建模。
机译:具有改善的漏极电流密度和高击穿电压的高性能AlGaN双通道HEMT
机译:排水静态电压对脉冲RF模式中的AlGaN / GaN HEMT器件老化的影响
机译:高功率,高效率sspas中siC和蓝宝石mmIC上微波alGaN / GaN HEmT的沟道温度模型