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Low-loss silicon slot waveguide realized by surface roughness reduction

机译:通过减少表面粗糙度实现的低损耗硅缝隙波导

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摘要

We demonstrate low-loss slot waveguides on silicon-on-insulator (SOI) platform. Waveguides oriented to the direction on the Si (110) plane are fabricated by a combination of dry and wet etching to realize propagation loss of 4dB/cm for a waveguide with a slot width of 120nm.
机译:我们演示了绝缘体上硅(SOI)平台上的低损耗缝隙波导。通过干法刻蚀和湿法刻蚀的组合来制造定向于Si(110)平面方向的波导,以实现缝隙宽度为120nm的波导的4dB / cm的传输损耗。

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