机译:使用电感耦合的SF6 / O-2 / AR等离子体,通过改进的SiC / SiO2选择性进行微型沟槽4H-SIC蚀刻
机译:HBr / Ar和Cl2 sub> / Ar电感耦合等离子体中TiO2 sub>薄膜的刻蚀特性及机理
机译:用于深硅刻蚀应用的感应耦合SF 6和SF6 / Ar等离子体中等离子体化学的数值研究
机译:正硅刻蚀过程中RIE SF6 / O2 / Ar等离子体的特征
机译:校正使用SF6 / C4F8 / Ar气体混合物进行深硅蚀刻时的长宽比依赖性。
机译:SF6优化的对二甲苯C的O2等离子体蚀刻
机译:硅腐蚀中使用的混合气体等离子体中化学过程的建模。第2部分:SF6 / O2用于蚀刻硅的气态混合物等离子体中化学过程的建模。第2部分:SF6 / O2
机译:等离子体诱导损伤对离子注入Gaas mEsFET在反应离子刻蚀(RIE)和等离子体灰化过程中通道层的影响。