Parylene C SF6 O2 plasma etching;
机译:电容耦合SF6-O2等离子体蚀刻优化研究
机译:在SF6 / O2等离子体中高纵横比的深硅刻蚀。二。高纵横比的横向蚀刻机理
机译:SF6 / O2等离子体化学法对苯并环丁烯进行低压感应耦合等离子体刻蚀
机译:在低等离子密度反应离子刻蚀系统中,使用SF6 / H2 / O2等离子的高纵横比深硅微/纳米级特征刻蚀
机译:硅/硅锗化物异质结构的各向异性碳氟化合物等离子体刻蚀和等离子体刻蚀引起的侧壁损伤
机译:N2-O2混合物和SF6气体中激发的低压RF远程等离子体灭活革兰氏阴性细菌
机译:硅腐蚀中使用的混合气体等离子体中化学过程的建模。第2部分:SF6 / O2用于蚀刻硅的气态混合物等离子体中化学过程的建模。第2部分:SF6 / O2